具有三相五组(3P5G)的DC-TENG的单相摩擦发电单元产生的开路电压为149.5V,山东施方短路电流为7.3μA,在600rpm时产生的电荷为56.7nC。
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AFM相图(右)显示优化膜中的颜色变化不是由于裂纹引起的(e)光学图像显示了贴在皮肤上时晶体管的透明度和柔韧性(f)演示可完全拉伸的OFET以驱动发光二极管图49.柔性电子产品的SAM/hgh-k混合电介质(a)具有SAM/高k混合电介质的互补逆变器(b)在超薄聚酰亚胺基材上的超柔有机电路的照片(c)柔性TFT的横截面TEM图像,洁取进煤清楚显示了器件的分层结构(d,e)在1.3μm厚的PEN基板上具有PA-SAM/AlOx混合电介质的超薄OFET的示意图和照片(e,f)超薄塑料电子箔可以像纸一样弄皱(g)在形状记忆聚合物基底上的OFET,洁取进煤在植入24小时后与活体大鼠的身体组织相符(h)具有有机晶体管和电路阵列的5欧元纸币的照片(i)钞票上单个晶体管的照片图50.多功能传感器系统及其未来应用(a)拟订OFETs的每个组成部分(b)功能性OFET的当前应用(c)实际应用所需的属性(d)OFETs的未来应用【总结】总而言之,在开发高质量复杂的界面以控制OFET中的电荷传输方面取得了显着进步,创造了面向潜在应用的新型高性能功能光电器件。案推界面工程为提高有机场效应晶体管(OFET)的器件性能甚至开发新功能提供了一种有效而有前途的方法。
根据不同的异质界面的基本工作机制,改电改造鼓励包括半导体层内的界面,改电改造鼓励半导体/电极界面,半导体/介电界面以及半导体/环境界面,从界面工程的概念出发,采用有效的离散策略本文将对用于改善设备性能,实现新功能以及降低制造成本的技术进行全面总结,并特别着重强调界面效应对OFET性能的重要性。这篇综述将提供分子水平上分子结构,利用组装和新兴功能之间相互作用的基本理解,利用从而为设计面向实际应用的新一代多功能集成电路和传感器提供新颖的见解。